A Fujian Jingxu Semiconductor Technology projekt második szakasza teljesen lezárult, és várhatóan az év végére elkészül a berendezés szimulációs feltételei.

A Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., Ltd. projektjének második szakasza teljesen lezárult, és jelenleg is zajlanak a belső dekorációs munkák. A cél az, hogy az év vége előtt elérjék a berendezések szimulációs feltételeit. Ez a projekt a gallium-oxid piezoelektromos fólia új anyagán alapuló nagyfrekvenciás szűrőchipek gyártásáról szól. A projekt befejezése után ez lesz a világ első ultraszéles sávszélességű félvezető nagyfrekvenciás szűrőchip gyártósora, 400 ezer ezer becsült éves kibocsátással és körülbelül 1 milliárd jüan kibocsátási értékkel. Ez hiánypótló lesz a gallium-oxid piezoelektromos fóliák új anyagainak hazai területén, és jelentős hatással lesz az új anyagipar fejlődésére Shanghang megyében.