YOFC-ის მოწინავე მესამე თაობის ნახევარგამტარული ელექტრო მოწყობილობების R&D და საწარმოო ბაზის პროექტის პირველი ეტაპი 10 მილიარდი იუანის ინვესტიციას განახორციელებს.

YOFC-ის მოწინავე მესამე თაობის ნახევარგამტარული ელექტრო მოწყობილობების R&D და წარმოების ბაზის პროექტის პირველ ფაზას აქვს მთლიანი ინვესტიცია 10 მილიარდი იუანი და შეუძლია ყოველწლიურად 360,000 SiC MOSFET ვაფლის წარმოება, მათ შორის ეპიტაქსია, მოწყობილობის დიზაინი, ვაფლის წარმოება, შეფუთვა და სხვა ასპექტები.