فاز اول پروژه تحقیق و توسعه و پایه تولید دستگاه های نیمه هادی پیشرفته نسل سوم YOFC 10 میلیارد یوان سرمایه گذاری خواهد کرد.

فاز اول پروژه تحقیق و توسعه و پایه تولید دستگاه های نیمه هادی پیشرفته نسل سوم YOFC دارای سرمایه گذاری کل 10 میلیارد یوان است و می تواند سالانه 360000 ویفر SiC MOSFET از جمله اپیتاکسی، طراحی دستگاه، ساخت ویفر، بسته بندی و سایر جنبه ها تولید کند.