Перша фаза проекту YOFC щодо науково-дослідної та виробничої бази передового напівпровідникового силового пристрою третього покоління інвестує 10 мільярдів юанів
2024-12-23 12:06
59
Перша фаза проекту науково-дослідної та виробничої бази передового напівпровідникового силового пристрою третього покоління YOFC має загальні інвестиції в 10 мільярдів юанів і може виробляти 360 000 пластин SiC MOSFET щорічно, включаючи епітаксію, дизайн пристрою, виробництво пластин, упаковку та інші аспекти.
