Inwestycja w pierwszym etapie zaawansowanego projektu badawczo-rozwojowego i produkcyjnego urządzeń półprzewodnikowych trzeciej generacji firmy YOFC wynosi 10 miliardów juanów.

Pierwsza faza projektu badawczo-rozwojowego i bazy produkcyjnej zaawansowanych półprzewodnikowych urządzeń zasilających trzeciej generacji firmy YOFC obejmuje inwestycje o łącznej wartości 10 miliardów juanów i umożliwia produkcję 360 000 płytek SiC MOSFET rocznie, włączając epitaksję, projektowanie urządzeń, produkcję płytek, pakowanie i inne aspekty.