Prima fază a proiectului avansat de cercetare și dezvoltare și bază de producție a dispozitivelor de putere semiconductoare de a treia generație YOFC va investi 10 miliarde de yuani

Prima fază a proiectului avansat de cercetare și dezvoltare și producție a dispozitivelor de putere semiconductoare de a treia generație de la YOFC are o investiție totală de 10 miliarde de yuani și poate produce 360.000 de napolitane MOSFET SiC anual, inclusiv epitaxie, proiectare a dispozitivelor, producție de plachete, ambalare și alte aspecte.