Die erste Phase des YOFC-Projekts für Forschung, Entwicklung und Produktionsbasis für Halbleiter-Leistungsbauelemente der dritten Generation beläuft sich auf 10 Milliarden Yuan.

Die erste Phase des fortschrittlichen F&E- und Produktionsbasisprojekts für Halbleiter-Leistungsbauelemente der dritten Generation von YOFC umfasst eine Gesamtinvestition von 10 Milliarden Yuan und kann jährlich 360.000 SiC-MOSFET-Wafer produzieren, einschließlich Epitaxie, Gerätedesign, Waferherstellung, Verpackung und anderen Aspekten.