長飛先進第三代半導體功率元件研發生產基地專案第一期投資100億元

長飛先進第三代半導體功率元件研發生產基地專案一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、裝置設計、晶圓製造、封裝等環節。