Infineon stel nuwe CoolSiC™ MOSFET 2000 V bekend

Infineon Technologies stel nuwe CoolSiC™ MOSFET 2000 V in TO-247PLUS-4-HCC-pakket bekend om aan die vraag na hoë drywingsdigtheid te voldoen en te verseker dat stelselbetroubaarheid nie onder hoëspanning- en hoëfrekwensietoestande beïnvloed word nie. Hierdie MOSFET is geskik vir toepassings soos sonenergie, energiebergingstelsels en elektriese voertuiglaai, en beskik oor lae skakelverliese.