Infineon lansează noul CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies lansează noul CoolSiC™ MOSFET 2000 V în pachetul TO-247PLUS-4-HCC pentru a satisface cererea de densitate mare de putere și pentru a se asigura că fiabilitatea sistemului nu este afectată în condiții de înaltă tensiune și înaltă frecvență. Acest MOSFET este potrivit pentru aplicații precum energia solară, sistemele de stocare a energiei și încărcarea vehiculelor electrice și are pierderi reduse de comutare.