Infineon lanserar nya CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies lanserar nya CoolSiC™ MOSFET 2000 V i TO-247PLUS-4-HCC-paketet för att möta kraven på hög effekttäthet och säkerställa att systemets tillförlitlighet inte påverkas under högspännings- och högfrekvensförhållanden. Denna MOSFET är lämplig för applikationer som solenergi, energilagringssystem och laddning av elfordon och har låga kopplingsförluster.