Infineon lancerer ny CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Infineon Technologies lancerer ny CoolSiC™ MOSFET 2000 V i TO-247PLUS-4-HCC-pakke for at imødekomme kravet om høj effekttæthed og sikre, at systemets pålidelighed ikke påvirkes under højspændings- og højfrekvente forhold. Denne MOSFET er velegnet til applikationer såsom solenergi, energilagringssystemer og opladning af elektriske køretøjer og har lave koblingstab.