Hengyuan Semiconductor berjaya membangunkan teras sumber kristal litium niobate gred optik 12 inci

Hengyuan Semiconductor mengumumkan bahawa ia telah berjaya membangunkan teras sumber kristal litium niobate gred optik 12 inci (300mm diameter). Pencapaian ini menandakan kejayaan besar bagi syarikat dalam bidang bahan semikonduktor.