Nhóm Ruichuang đã đạt được bước đột phá lớn trong nghiên cứu về laser xếp tầng liên dải cơ sở InA

Viện nghiên cứu Ruichuang và nhóm quang tử của nó đã đạt được kết quả đáng chú ý trong nghiên cứu về laser liên tầng dải cơ sở (ICL) InAs và phát triển thành công một loạt ICL đa bước sóng laser hoạt động liên tục ở nhiệt độ phòng, hiệu suất cao. Những tia laser này được phát triển trên chất nền InAs bằng công nghệ epit Wax chùm phân tử và các thiết bị sườn hẹp được sản xuất có bước sóng phát laser ở nhiệt độ phòng là 4,6 μm và 5,2 μm. So với ICL dựa trên GaSb truyền thống, ICL dựa trên InAs có mật độ dòng ngưỡng thấp hơn ở bước sóng dài hơn. Kết quả nghiên cứu có liên quan đã được công bố trong hai bài báo.