Zhanxin Electronics lancerer kompakt SiC-gatedriver IVCR1412
Zhanxin elektronik
Jiyue bil
De
IGBT
IVCR1412
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
De
del
chip
trykke
lukning
køre
ekstrem
SiC
R1
industri
2024-12-20 14:12
1
Zhanxin Electronics' IVCR1412 gate driver chip er nu i masseproduktion. Den har negativ spænding og Miller effekt undertrykkelse. Den er pakket i en ekstremt kompakt SOT23-6 og er velegnet til SiC MOSFET, Si MOSFET og IGBT. Denne chip har ingen gate-modstand, hvilket reducerer omstrejfende induktans og forbedrer den dynamiske strømdelingseffekt. Integreret -2V nedlukningsspænding understøtter pålidelig MOSFET-nedlukning. Velegnet til nye energikøretøjer og andre industrier.
