快报列表

„Innoscience“ ir „United Electronics“ kartu įkūrė galio nitrido technologijų laboratoriją 2025-08-03 07:50
„Infineon“ planuoja pristatyti „CoolGaN“ pavyzdžius 2025-06-17 08:50
„China Resources Microelectronics“ Daliano mieste šventė milijardinio GaN lusto pagaminimo šventę. 2025-05-20 08:20
Indijos „Polymatech“ investuoja 130 mln. dolerių į GaN lustų gamyklą 2025-05-09 08:00
„Innoscience mass“ gamina 1200 V aukštos įtampos GaN įrenginius 2025-04-18 12:30
„Polar Semiconductor“ ir „Renesas Electronics“ sudaro strateginį susitarimą dėl GaN įrenginių komercializavimo skatinimo 2025-04-18 11:10
„Mazda“ ir „Rohm“ bendradarbiauja kurdami galio nitrido automobilių komponentus 2025-04-01 16:31
STMicroelectronics ir Innoscience sujungia jėgas, kad sukurtų GaN technologiją 2025-04-01 16:31
„Navitas Semiconductor“ pajamos išaugs iki 2024 m 2025-03-05 13:20
„Nexperia“ pristato CCPAK GaN FET portfelį, pradėdamas naują maitinimo įrenginių pakavimo erą 2025-02-19 13:31
Nagojos universitetas ir „Panasonic Automotive Systems“ kuria kompaktišką OBC 2025-02-15 18:00
„Changan Automobile“ pristato pirmąją pasaulyje komercinių transporto priemonių įkroviklio technologijos platformą, pagrįstą galio nitridu 2025-02-14 13:40
„Innoscience“ Honkongo vertybinių popierių biržoje paskelbė, kad padavė į teismą tris bendroves dėl galio nitrido (GaN) patentų pažeidimo. 2025-01-22 13:00
Pietų Korėjos SK Semiconductor kuria 650V GaN HEMT 2025-01-17 01:12
Galios puslaidininkių rinkoje bus pradėtas struktūrinis pertvarkymas 2025-01-16 23:22

请选择您偏好的语言版本