快报列表
Substrat silikon karbida konduktif semikonduktor kristal kering 8 inci berhasil dikembangkan
2024-12-25 15:12
Pusat Inovasi Sains dan Teknologi Internasional Hangzhou Universitas Zhejiang berhasil menumbuhkan kristal tunggal silikon karbida 6 inci setebal 100 mm
2024-12-24 19:18
请选择您偏好的语言版本
简体中文
English
日本語
한국어
Deutsch
Français
Português
Nederlands
svenska
español
Italiano
Русский
Türkçe
Polski
हिन्दी
ภาษาไทย
Indonesia
Bahasa Melayu
عربي