快报列表
Південнокорейська SK Key Foundry підтверджує характеристики пристрою на 650-вольтовому транзисторі з високою мобільністю електронів (HEMT) на основі нітриду галію (GaN).
2025-01-10 15:04
请选择您偏好的语言版本
简体中文
English
日本語
한국어
Deutsch
Français
Português
Nederlands
svenska
español
Italiano
Русский
Türkçe
Polski
हिन्दी
ภาษาไทย
Indonesia
Bahasa Melayu
عربي