快报列表
Jihokorejská SK Key Foundry potvrzuje vlastnosti 650voltového nitridu galia (GaN) tranzistoru s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT)
2025-01-10 15:04
请选择您偏好的语言版本
简体中文
English
日本語
한국어
Deutsch
Français
Português
Nederlands
svenska
español
Italiano
Русский
Türkçe
Polski
हिन्दी
ภาษาไทย
Indonesia
Bahasa Melayu
عربي